【学术讲座】复杂氧化物界面关联电子系统的制备与电学特性研究

2020年01月09日 11:26  


地点:理学院454

时间:2020年1月10日14:30

邀请人:王拴虎

报告人简介:甘渝林,丹麦技术大学博士,研究复杂功能氧化物异质结的外延生长、物理性能的可控调节,以及其在未来电子学、光电子学和自旋电子学中的应用。曾在Advanced materials及Physicalreview B等期刊发表文章多篇。

随着现代微电子科技飞速发展,传统半导体晶体管密度不断提高。高密度晶体管信号处理产生的巨大热损耗,以及单电荷控制的量子极限,使得传统半导体晶体管面临着前所未有的的巨大挑战。寻找新型材料和利用新的物理效应迫在眉睫。由于丰富的新奇物理特性,复杂氧化物脱颖而出并显示出巨大的潜力来解决目前的挑战,由其发展的电子学以及自旋电子学近年来引起了全世界的广泛关注。类似Si在半导体电子学中的核心地位,钛酸锶单晶(SrTiO3)被广泛认为是氧化物电子学的基石。由于电子的强关联相互作用,基于SrTiO3的异质结在磁、光、电、热等方面表现出丰富的奇异性质。其中最为引人注目的是发现于两非磁性绝缘体SrTiO3(STO)与LaAlO3(LAO)界面处的高迁移率二维电子气。本报告将基于STO复杂氧化物异质结的制备和关联电子系统的输运性质的研究,主要讨论三大难题:(1)利用调制掺杂技术,调控界面载流子浓度,研究电子结构。(2)结合磁近邻效应,诱导磁性二维电子气。(3)制备场效应器件,研究电场调控下自旋关联的物理性质及其相互作用。该系列的研究提供了有效的方法调控氧化物二维电子气的物理属性,实现了磁性二维电子气,同时也为探索和理解超导铁磁共存这一新奇现象背后的物理本质提供了新的实验证据。

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